Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| リッジ埋込み型半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | リッジ埋込み型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 林 伸彦; 松川 健一 | |
| 1994-10-28 | |
| 专利权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 公开日期 | 1994-10-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 比較的簡単な工程を経て容易に形成することができ、かつ特性の安定性に優れている、電流非注入部を備えたリッジ埋込み型半導体レーザを提供する。 【構成】 n-GaAs基板11上に、n-Ga0.5 Al0.5 Asクラッド層12、活性層13、p-Ga0.5 Al0.5 Asクラッド層14、p-GaAsキャップ層15を積層してなり、上記p-クラッド層14及びp-キャップ層15をエッチングすることによりメサ状リッジAが構成されており、上記メサ状リッジAの外側にn-電流ブロック層17が形成されており、電流非注入部が、上記メサ状リッジAの上面に形成された所定幅の絶縁層16及び空洞19で構成されている、リッジ埋込み型半導体レーザ10。 |
| 其他摘要 | 提供一种具有电流非注入部分的脊埋入式半导体激光器，其可以通过相对简单的工艺容易地形成并且具有优异的特性稳定性。 在n-上形成有源层，有源层，p-Ga 0.5 Al 0.5 作为包层14和p-GaAs盖层15，通过蚀刻p包覆层14和p-盖层15形成台面脊A. n电流阻挡层17形成在台面脊A的外侧，并且电流非注入部分由绝缘层16和形成在台面脊A的上表面上的具有预定宽度的腔19形成。脊埋式半导体激光器10包括半导体激光器。 |
| 申请日期 | 1993-04-15 |
| 专利号 | JP1994302907A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993088481 |
| 公开（公告）号 | JP1994302907A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 目次 誠 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87277 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林 伸彦,松川 健一. リッジ埋込み型半導体レーザ及びその製造方法. JP1994302907A[P]. 1994-10-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1994302907A.PDF（41KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [林 伸彦]的文章 |
| [松川 健一]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [林 伸彦]的文章 |
| [松川 健一]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [林 伸彦]的文章 |
| [松川 健一]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论