Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 松川 健一; 後藤 荘謙; 茨木 晃; 林 伸彦 | |
| 1995-12-12 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 1995-12-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 製造歩留まりのよい半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 傾斜した面1aを有する半導体基板1と、この傾斜した面1a上に形成された非平坦な半導体層5と、この非平坦な半導体層5上に形成され、表面に形状変化部9を有するコンタクト層8と、このコンタクト層8上に形成された電極10と、を備え、形状変化部領域9上及び発振領域上を除いた電極10にワイヤーボンディングした。 |
| 其他摘要 | 用途：为了获得制造成品率优异的半导体激光元件，通过引线键合除了形状变化部分和振荡区域上的部分之外的电极。组成：在半导体衬底1的倾斜表面上形成一个非平坦的半导体层5.在半导体层5上形成具有形状变化部分9的接触层8.在接触层8上形成电极10除了形状变化部分9上的部分和振荡区域之外的电极10进行引线接合。即，标记部分10b中的接合部分位于除以下部分之外的部分中;在脊部5a上的部分，距离脊部5a的端部约10mum附近的部分，以及条形突出部9.因此，在不缩短元件寿命的情况下极大地提高了制造成品率。特别是，当接触层8的厚度为4μm或更大时，引线键合时的冲击被接触层8吸收，从而显着提高了制造产量。 |
| 申请日期 | 1994-05-31 |
| 专利号 | JP1995326815A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994118465 |
| 公开（公告）号 | JP1995326815A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 岡田 敬 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71226 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松川 健一,後藤 荘謙,茨木 晃,等. 半導体レーザ素子. JP1995326815A[P]. 1995-12-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995326815A.PDF（30KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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