半導体レーザの製造方法

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	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	松川健一; 茨木晃; 林伸彦
	1999-08-13
专利权人	三洋電機株式会社
公开日期	1999-10-25
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】電極形成に際しての煩雑なエッチング工程を省略することができ、異なる厚みのコンタクト層を有する半導体レーザの製造に容易に対応し得る、半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】ある結晶方位からずれた方向に配向された第1の導電型のオフ基板上に、第1の導電型のクラッド層、活性層及び第2の導電型のクラッド層4を成長させ、上方にある第2の導電型のクラッド層4にエッチングによりメサ状リッジAを形成し、該メサ状リッジAの上方に第2の導電型のコンタクト層10を形成してなるウェハ15を用意し、ウェハ15の上面に形成されているストライプ状部分15aにおけるコンタクト層10の厚みをxとしたときに、ストライプ上部分15aから下記の式(1)で決定される距離yだけ離れた部分に発振領域を表示する位置決めマークを有するように電極を形成する工程を有する半導体レーザの製造方法。【数1】
其他摘要	目的可以省略在电极形成复杂的蚀刻工艺时，它可以很容易地制造具有不同厚度的接触层的半导体激光器的应对，提供一种制造半导体激光器的方法。 [配置]成第一导电在从晶体取向偏离的方向上取向的衬底上键入时，第一导电类型的包覆层，生长在有源层和导电的第二包层4，通过在上，晶片蚀刻所述导电型的第二覆层4形成台面状的脊15制备包含形成上述台脊一个第二导电型接触层10 ，振荡的厚度的接触层10的形成中，在晶片15的上表面上的条纹状部15a时在x，y从条纹由下面的公式确定上部15a开的部分的距离（1）形成电极以具有用于显示区域的定位标记的步骤。 [数1]
申请日期	1993-04-20
专利号	JP2966686B2
专利状态	失效
申请号	JP1993092986
公开（公告）号	JP2966686B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/042 \| H01S5/227 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	目次誠 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78213
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	松川健一,茨木晃,林伸彦. 半導体レーザの製造方法. JP2966686B2[P]. 1999-08-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2966686B2.PDF（41KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文