Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザの製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 古沢 浩太郎; 茨木 晃; 林 伸彦; 松川 健一; 三宅 輝明; 後藤 壮謙 | |
| 2001-09-21 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 2001-12-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 信頼性が高いリッジ型埋め込み半導体レーザを製造する。 【構成】 p型クラッド層6,p型キャップ層7からなるリッジ部を含む全域にn型ブロック層8を成長させた後(d)、n型ブロック層をポリッシングし(e)、その後n型ブロック層8へのp型不純物の拡散によりp型コンタクト層19を形成する(f)。または、(d)の工程後、リッジ部上方のn型ブロック層8のみをエッチング除去し、その後全域にp型コンタクト層を形成する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法，通过蚀刻操作或抛光操作形成埋藏脊部的阻挡层的方法，提高标题激光的可靠性并提高标题激光的产量而不会对脊部产生晶体应变或通过杂质扩散操作。组成：在包括脊部分的整个区域上生长n型阻挡层8，该脊部分由p型覆层6和p型覆盖层7组成，然后抛光n型阻挡层8，通过将p型杂质扩散到n型阻挡层8，形成p型接触层19.或者，仅蚀刻和去除脊部上部的n型阻挡层8，并且然后在整个区域上形成p型接触层19。因此，可以制造可靠性高并且埋入脊部的半导体激光器，而不使用用于选择性生长阻挡层8的掩模。 |
| 申请日期 | 1992-11-26 |
| 专利号 | JP3234310B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992317523 |
| 公开（公告）号 | JP3234310B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S5/223 |
| 专利代理人 | 河野 登夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78579 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古沢 浩太郎,茨木 晃,林 伸彦,等. 半導体レーザの製造方法. JP3234310B2[P]. 2001-09-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3234310B2.PDF（71KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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