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片上集成半导体激光器结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109586159A, 申请日期: 2019-04-05, 公开日期: 2019-04-05
发明人:  杨成奥;  牛智川;  张宇;  徐应强;  谢圣文;  张一;  尚金铭
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基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109217109A, 申请日期: 2019-01-15, 公开日期: 2019-01-15
发明人:  谢圣文;  牛智川;  张宇;  徐应强;  邵福会;  杨成奥;  张一;  尚金铭;  黄书山;  袁野;  苏向斌
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渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109149368A, 申请日期: 2019-01-04, 公开日期: 2019-01-04
发明人:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥;  谢圣文;  邵福会;  尚金铭
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中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108988125A, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11
发明人:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥;  谢圣文;  邵福会;  尚金铭
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提高激光器寿命和发光效率的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108039645A, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2018-05-15
发明人:  谢圣文;  杨成奥;  张宇;  牛智川
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单模GaSb基半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106953235A, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2017-07-14
发明人:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  徐应强;  牛智川
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一种半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105161976A, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2015-12-16
发明人:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  魏思航;  徐应强;  牛智川
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一种集成半导体激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105098595A, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
发明人:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  徐应强;  牛智川
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