一种半导体激光器及其制备方法

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	一种半导体激光器及其制备方法
其他题名	一种半导体激光器及其制备方法
	杨成奥; 张宇; 廖永平; 魏思航; 徐应强; 牛智川
	2015-12-16
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-12-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器及其制备方法，该布拉格反射MOPA集成半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层；增益放大区，其位于所述半导体激光器的前部即出光部分，为向下刻蚀所述P型上接触层形成的锥形结构；主振荡区，其位于所述增益放大区后部，为向下刻蚀P型上限制层形成的脊形波导结构；布拉格反射区，其位于所述主振荡区后部，为向下刻蚀P型上限制层形成的周期性布拉格光栅结构；光限制槽，其对称分布于所述脊形波导两侧，与所述脊形波导倾斜设置。
其他摘要	本发明公开了一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器及其制备方法，该布拉格反射MOPA集成半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层；增益放大区，其位于所述半导体激光器的前部即出光部分，为向下刻蚀所述P型上接触层形成的锥形结构；主振荡区，其位于所述增益放大区后部，为向下刻蚀P型上限制层形成的脊形波导结构；布拉格反射区，其位于所述主振荡区后部，为向下刻蚀P型上限制层形成的周期性布拉格光栅结构；光限制槽，其对称分布于所述脊形波导两侧，与所述脊形波导倾斜设置。
申请日期	2015-08-31
专利号	CN105161976A
专利状态	失效
申请号	CN201510544459.2
公开（公告）号	CN105161976A
IPC 分类号	H01S5/068 \| H01S5/065 \| H01S5/32
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80050
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨成奥,张宇,廖永平,等. 一种半导体激光器及其制备方法. CN105161976A[P]. 2015-12-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105161976A.PDF（888KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文