一种集成半导体激光器的制备方法

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	一种集成半导体激光器的制备方法
其他题名	一种集成半导体激光器的制备方法
	杨成奥; 张宇; 廖永平; 徐应强; 牛智川
	2015-11-25
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-11-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种2μm单模大功率GaSb基金属光栅主振荡功率放大器集成半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层；增益放大区，其位于所述半导体激光器的前部即出光部分，为向下刻蚀所述P型上接触层形成的等腰梯形结构；主振荡区，其位于所述增益放大区后部，为向下刻蚀所述P型上接触层和P型上限制层形成的脊形波导结构；金属光栅区，其位于所述主振荡区后部，为形成在所述上波导层表面的周期性光栅结构；光限制槽，其对称分布于所述脊形波导结构的两侧，与所述脊形波导结构倾斜设置。
其他摘要	本发明公开了一种2μm单模大功率GaSb基金属光栅主振荡功率放大器集成半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层；增益放大区，其位于所述半导体激光器的前部即出光部分，为向下刻蚀所述P型上接触层形成的等腰梯形结构；主振荡区，其位于所述增益放大区后部，为向下刻蚀所述P型上接触层和P型上限制层形成的脊形波导结构；金属光栅区，其位于所述主振荡区后部，为形成在所述上波导层表面的周期性光栅结构；光限制槽，其对称分布于所述脊形波导结构的两侧，与所述脊形波导结构倾斜设置。
申请日期	2015-09-23
专利号	CN105098595A
专利状态	失效
申请号	CN201510612638.5
公开（公告）号	CN105098595A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/22 \| H01S5/06
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92598
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨成奥,张宇,廖永平,等. 一种集成半导体激光器的制备方法. CN105098595A[P]. 2015-11-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105098595A.PDF（779KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文