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| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
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| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
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| 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109003883A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
发明人: 李国强; 高芳亮; 张曙光; 徐珍珠; 余粤锋
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| 硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
发明人: 李国强; 高芳亮; 余粤锋; 徐珍珠
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| 生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108735866A, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
发明人: 高芳亮; 李国强; 徐珍珠; 余粤锋
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| 一种非极性紫外LED 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
发明人: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超
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| 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104835718B, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01
发明人: 李国强; 温雷; 高芳亮; 张曙光; 李景灵; 管云芳
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| 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206271710U, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
发明人: 李国强; 高芳亮; 温雷; 张曙光; 徐珍珠; 韩晶磊; 余粤锋
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| 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206225325U, 申请日期: 2017-06-06, 公开日期: 2017-06-06
发明人: 李国强; 王文樑; 朱运农; 杨为家
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| 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106783948A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
发明人: 李国强; 高芳亮; 温雷; 张曙光; 徐珍珠; 韩晶磊; 余粤锋
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