Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种非极性紫外LED | |
| 其他题名 | 一种非极性紫外LED |
| 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超 | |
| 2018-10-26 | |
| 专利权人 | 华南理工大学 |
| 公开日期 | 2018-10-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型公开了一种非极性紫外LED，该非极性紫外LED自下而上依次包括r面蓝宝石衬底、生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlGaN缓冲层、高温AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN/AlGaN超晶格层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源区、非掺杂AlGaN盖帽层、低温p型掺杂AlGaN层、p型掺杂AlGaN层和p型重掺杂AlGaN层。本实用新型的非极性紫外LED使用AlGaN材料作为器件基础材料，不仅能有效调控LED发光波长，更有效利用了非极性III族氮化物发光器件具有的光偏振特性，在紫外光区间的如半导体激光器、紫外探测器等氮化物元件中具备极大的应用前景。 |
| 其他摘要 | 本实用新型公开了一种非极性紫外LED，该非极性紫外LED自下而上依次包括r面蓝宝石衬底、生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlGaN缓冲层、高温AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN/AlGaN超晶格层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源区、非掺杂AlGaN盖帽层、低温p型掺杂AlGaN层、p型掺杂AlGaN层和p型重掺杂AlGaN层。本实用新型的非极性紫外LED使用AlGaN材料作为器件基础材料，不仅能有效调控LED发光波长，更有效利用了非极性III族氮化物发光器件具有的光偏振特性，在紫外光区间的如半导体激光器、紫外探测器等氮化物元件中具备极大的应用前景。 |
| 授权日期 | 2018-10-26 |
| 申请日期 | 2018-03-21 |
| 专利号 | CN208014734U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201820383010.1 |
| 公开（公告）号 | CN208014734U |
| IPC 分类号 | H01L33/48 | H01L33/12 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 何淑珍 | 冯振宁 |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41414 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文樑,李国强,郑昱林,等. 一种非极性紫外LED. CN208014734U[P]. 2018-10-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN208014734U.PDF（372KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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