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窒化物系化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998284802A, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-10-23
发明人:  今藤 修;  油利 正昭;  橋本 忠朗;  石田 昌宏;  杉野 隆
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III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997249499A, 申请日期: 1997-09-22, 公开日期: 1997-09-22
发明人:  橋本 忠朗;  今藤 修;  石田 昌宏;  杉野 隆
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半導体レ-ザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2523643B2, 申请日期: 1996-05-31, 公开日期: 1996-08-14
发明人:  山本 敦也;  杉野 隆;  広瀬 正則;  吉川 昭男
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996028547B2, 申请日期: 1996-03-21, 公开日期: 1996-03-21
发明人:  広瀬 正則;  ▲吉▼川 昭男;  粂 雅博;  山本 敦也;  中村 晃;  杉野 隆
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半導体レ-ザ装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996012945B2, 申请日期: 1996-02-07, 公开日期: 1996-02-07
发明人:  宮永 和恒;  杉野 隆;  広瀬 正則;  山本 敦也;  ▲吉▼川 昭男
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体レ-ザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995099785B2, 申请日期: 1995-10-25, 公开日期: 1995-10-25
发明人:  杉野 隆;  山本 敦也;  広瀬 正則;  ▲吉▼川 昭男
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半導体レ-ザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1994032327B2, 申请日期: 1994-04-27, 公开日期: 1994-04-27
发明人:  ▲吉▼川 昭男;  杉野 隆
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半導体レ-ザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1994007621B2, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
发明人:  ▲吉▼川 昭男;  杉野 隆
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