半導体レ-ザ装置

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	半導体レ-ザ装置
其他题名	半導体レ-ザ装置
	杉野隆; 山本敦也; 広瀬正則; ▲吉▼川昭男
	1995-10-25
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1995-10-25
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To form quantum thin line laser, by forming a striped ridge, whose cross section orientated in is reverse metha-shaped, on a surface of a Zinc blende crystal substrate with a plane (100) and forming a double hetero structure, in which an active layer of quantum well structure is contained, on the ridge. CONSTITUTION:A striped ridge 2, whose cross section is orientated in , is formed on a n-GaAs substrate 1 with a plane (100) A n-Ga1-xAlxAs clad layer 3 is made to grow 3 mum in thickness on the ridge by a MOCVD crystal growth method. Because growth crystal grows with the plane (111) exposed on the ridge 2, an angle of the ridge surface with the plane (111) becomes 54 deg. Next, non-doped Ga1-yAlyAs layers 10 and Ga1-zAlzAs layers 9 are formed alternately on the clad layer 3 so that thickness of each layer is 100 Angstrom and the number of respective layers is 5. Successively, a p-Ga1-xAlxAs clad layer 4 is made to grow 2 mum (in thickness on a flat surface) and active regions 9 and 11 are filled with the clad layer 4. After a p-GaAs layer 5 is formed 0.5 mum, a SiO2 film 6 is sticked 3000 Angstrom on the layer 5 and a window 7 of 2 mum in width is opened just on the ridge 2.
其他摘要	目的：形成量子细线激光器时，在平面（100）的闪锌矿结晶基板的表面上形成条纹状的脊，该条纹的脊的截面在<0-1-1>方向上取向为反向的甲基形状，在脊上包含含有量子阱结构的活性层的双异质结构。构成：横截面取向在<0-1-1>中的条纹脊2形成在具有平面（100）的n-GaAs衬底1上。使n-Ga1-xAlxAs包覆层3生长3通过MOCVD晶体生长方法在脊上的厚度。因为生长晶体随着暴露在脊2上的平面（111）而生长，脊表面与平面（111）之间的角度变成54度。接下来，未掺杂的Ga1-yAlyAs层10和Ga1-zAlzAs层9是交替地形成在包层3上，使得每层的厚度为100埃，并且各层的数量为5.接着，使p-Ga1-xAlxAs覆盖层4生长2μm（厚度在平坦表面上）并且有源区9和11被包层4填充。在形成0.5μm的p-GaAs层5之后，在层5上粘附3000埃的SiO 2膜6，并且仅宽2μm的窗7被打开在山脊2上。
申请日期	1986-10-09
专利号	JP1995099785B2
专利状态	失效
申请号	JP1986240337
公开（公告）号	JP1995099785B2
IPC 分类号	H01S5/223 \| H01S \| H01S5/34 \| H01S5/22 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S5/323 \| H01S3/18
专利代理人	小鍜治明 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84418
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	杉野隆,山本敦也,広瀬正則,等. 半導体レ-ザ装置. JP1995099785B2[P]. 1995-10-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995099785B2.PDF（18KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文