半導体レーザ装置

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	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	広瀬正則; ▲吉▼川昭男; 粂雅博; 山本敦也; 中村晃; 杉野隆
	1996-03-21
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1996-03-21
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enable integration of a laser device of this design with other electronic circuit elements by a method wherein a light reflecting means used for constituting a resonator is provided in parallel with a primary face of a substrate, and a region whose conductivity type is the same as that of a second clad layer is provided to the peripheral section of a buried layer so as to make its base reach to the second clad layer. CONSTITUTION:A light reflecting means 6 used for constituting a resonator is provided in parallel with a primary face of a substrate 1, so that an optical output can be extracted from the substrate primary face side. And, the substrate 1 is a semi-insulator, a region 8 is provided to a peripheral section of a buried layer in such a manner that the top of the region 8 is level with the primary face of the substrate 1 and the base is in contact with a second clad layer 3, where the region 8 is the same conductivity type as the second clad layer 3, and the other electrode can be built on the region 8, so that a laser device of this design can be integrated together with other electronic circuit elements.
其他摘要	目的：通过一种方法，能够将本设计的激光装置与其它电子电路元件集成，其中用于构成谐振器的光反射装置与基板的主面平行设置，并且导电类型为在掩埋层的周边部分设置与第二包层相同的层，以使其基底到达第二包层。组成：用于构成谐振器的光反射装置6与基板1的主面平行设置，从而可以从基板主面侧提取光输出。并且，基板1是半绝缘体，区域8设置在掩埋层的周边部分上，使得区域8的顶部与基板1的主面齐平并且基底处于与第二包层3接触，其中区域8是与第二包层3相同的导电类型，并且另一个电极可以构建在区域8上，使得这种设计的激光装置可以与其它一体化。电子电路元件。
申请日期	1987-10-16
专利号	JP1996028547B2
专利状态	失效
申请号	JP1987262129
公开（公告）号	JP1996028547B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/18 \| H01S5/026 \| H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01S3/18
专利代理人	滝本智之
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87647
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	広瀬正則,▲吉▼川昭男,粂雅博,等. 半導体レーザ装置. JP1996028547B2[P]. 1996-03-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996028547B2.PDF（17KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文