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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009295871A, 申请日期: 2009-12-17, 公开日期: 2009-12-17
发明人:  折田 賢児;  吉田 真治;  長谷川 義晃;  持田 篤範
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半導体レーザ装置、第2高調波発生装置及び光ピックアップ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004165383A, 申请日期: 2004-06-10, 公开日期: 2004-06-10
发明人:  高山 徹;  油利 正昭;  折田 賢児
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半導体レーザ装置、及び光ピックアップ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002289965A, 申请日期: 2002-10-04, 公开日期: 2002-10-04
发明人:  高山 徹;  折田 賢児;  油利 正昭
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半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000315817A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14
发明人:  石田 昌宏;  油利 正昭;  今藤 修;  中村 真嗣;  折田 賢児
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