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半導体発光素子
其他题名半導体発光素子
折田 賢児; 吉田 真治; 長谷川 義晃; 持田 篤範
2009-12-17
专利权人パナソニック株式会社
公开日期2009-12-17
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】半導体発光素子における共振器端面の劣化を防止して信頼性を向上できるようにする。 【解決手段】半導体発光素子は、互いに対向する2つの端面を有する共振器構造を含む半導体積層体25と、2つの端面の少なくとも一方に形成された金属酸化物からなる前端面保護膜23とを有している。金属酸化物は、主成分にアルミニウム及び酸素を含み、且つランタン、イットリウム、ハフニウム及びジルコニウムのうちの少なくとも1つを含む。 【選択図】図1
其他摘要要解决的问题:通过防止半导体发光元件中的谐振器的端面劣化来提高可靠性。解决方案:半导体发光元件设置有半导体层叠体25,该半导体层叠体25包括谐振器结构,该谐振器结构包括彼此相对形成的一对端面和由至少在其中一个上形成的金属氧化物形成的前端面保护膜23。几个端面。金属氧化物含有铝和氧作为主要元素,并且还含有镧,钇,铪和锆中的至少一种。 Ž
申请日期2008-06-06
专利号JP2009295871A
专利状态失效
申请号JP2008149505
公开(公告)号JP2009295871A
IPC 分类号H01S5/10 | H01S5/323 | H01S5/00
专利代理人前田 弘 | 竹内 宏 | 嶋田 高久 | 竹内 祐二 | 今江 克実 | 藤田 篤史 | 二宮 克也 | 原田 智雄 | 井関 勝守 | 関 啓 | 杉浦 靖也
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71799
专题半导体激光器专利数据库
作者单位パナソニック株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
折田 賢児,吉田 真治,長谷川 義晃,等. 半導体発光素子. JP2009295871A[P]. 2009-12-17.
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JP2009295871A.PDF(156KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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