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| 一种用于生长外延片的复合衬底及其制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN106910807B, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26 发明人: 罗睿宏; 梁智文; 张国义
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| 一种制备GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN104319631B, 申请日期: 2017-04-26, 公开日期: 2017-04-26 发明人: 贾传宇; 张国义; 童玉珍
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| 一种多辅助功能智能雾灯及警示方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN103522939B, 申请日期: 2015-10-28, 公开日期: 2015-10-28 发明人: 刘明; 郭闯; 张国义
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| GaN基脊型激光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103138154A, 申请日期: 2013-06-05, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 鲁辞莽; 康香宁; 胡晓东 ; 陈伟华; 张国义; 秦志新; 吴洁君; 于彤军; 陈志忠
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| 具有车距安全功能激光雾灯 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN102765348A, 申请日期: 2012-11-07, 公开日期: 2012-11-07 发明人: 刘明; 郭闯; 张国义
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| 一种GaN衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN102201332A, 申请日期: 2011-09-28, 公开日期: 2011-09-28 发明人: 于彤军; 龙浩; 张国义; 吴洁君; 贾传宇; 杨志坚
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| 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101976713A, 申请日期: 2011-02-16, 公开日期: 2011-02-16 发明人: 于彤军; 方浩; 陶岳彬; 李兴斌; 陈志忠; 杨志坚; 张国义
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| 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN101383480B, 申请日期: 2010-06-09, 公开日期: 2010-06-09 发明人: 李睿; 胡晓东 ; 徐科; 代涛; 陈伟华; 胡成余; 包魁; 王彦杰; 张国义
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| 一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101685768A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31 发明人: 张国义; 杨志坚; 方浩; 李丁; 桑立雯; 陶岳彬; 康香宁; 孙永健; 陆羽; 赵璐冰
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| 一种发光二极管芯片制造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN100541850C, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 2009-09-16 发明人: 朱广敏; 张楠; 郝茂盛; 齐胜利; 杨卫桥; 陈志忠; 张国义
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