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一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101383480B, 申请日期: 2010-06-09, 公开日期: 2010-06-09
发明人:  李睿;  胡晓东;  徐科;  代涛;  陈伟华;  胡成余;  包魁;  王彦杰;  张国义
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