一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法

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	一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
其他题名	一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
	李睿; 胡晓东; 徐科; 代涛; 陈伟华; 胡成余; 包魁; 王彦杰; 张国义
	2010-06-09
专利权人	北京大学东莞光电研究院
公开日期	2010-06-09
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
其他摘要	本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
授权日期	2010-06-09
申请日期	2007-09-07
专利号	CN101383480B
专利状态	授权
申请号	CN200710121505.3
公开（公告）号	CN101383480B
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01L21/28 \| H01L21/00
专利代理人	贾晓玲
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40902
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京大学东莞光电研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	李睿,胡晓东,徐科,等. 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法. CN101383480B[P]. 2010-06-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101383480B.PDF（737KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文