Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种GaN衬底的制备方法 | |
| 其他题名 | 一种GaN衬底的制备方法 |
| 于彤军; 龙浩; 张国义; 吴洁君; 贾传宇; 杨志坚 | |
| 2011-09-28 | |
| 专利权人 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 公开日期 | 2011-09-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是，在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成由碳纳米管与GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN纳米柱构成的过渡层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是，在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成由碳纳米管与GaN、InGaN、AlGaN、AlN或InN纳米柱构成的过渡层，随后再生长厚膜GaN，获得厚膜GaN衬底或经过去除衬底工艺或自分离工艺得到自支撑GaN衬底。本发明制备方法简单、工艺条件易控制、价格低廉，可以选择不同的衬底，还可支持多种衬底分离技术。 |
| 申请日期 | 2011-05-08 |
| 专利号 | CN102201332A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201110117438.4 |
| 公开（公告）号 | CN102201332A |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01L33/00 | H01S5/00 | C30B25/02 | C30B29/38 |
| 专利代理人 | 贾晓玲 |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90005 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于彤军,龙浩,张国义,等. 一种GaN衬底的制备方法. CN102201332A[P]. 2011-09-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102201332A.PDF（877KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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