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| 采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104269738B, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2017-05-17
发明人: 王勇; 李占国; 孙琳; 于新雨; 尤明慧; 马炜; 王丽娟; 韩晓媚; 高占琦; 卢小香; 董明雪; 王岳
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| 一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104037618B, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2017-01-18
发明人: 尤明慧; 于新雨; 李占国; 刘景圣; 李士军; 欧仁侠; 高欣; 樊娟娟; 孙启响; 于秀玲; 李雪; 梁雪梅; 史明非; 孙连志
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| 一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104466679A, 申请日期: 2015-03-25, 公开日期: 2015-03-25
发明人: 李占国; 尤明慧; 乔忠良; 王勇; 高欣; 刘国军; 曲轶; 马晓辉
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| 一种长波长锑化物半导体激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102208757B, 申请日期: 2012-10-10, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 李占国; 尤明慧; 刘国军; 高欣; 李林; 李辉; 芦鹏; 王勇; 邹永刚; 乔忠良; 李梅; 曲轶; 薄报学
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| 采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101572387B, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01
发明人: 刘国军; 李占国; 李林; 李梅; 尤明慧; 芦鹏; 陈佳音; 李辉; 王勇; 乔忠良; 邓昀; 高欣
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| 一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101702490A, 申请日期: 2010-05-05, 公开日期: 2010-05-05
发明人: 尤明慧; 高欣; 李占国; 刘国军; 李林; 李梅; 王勇; 乔忠良; 邹永刚; 邓昀; 王晓华; 李联合
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| 采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101645577A, 申请日期: 2010-02-10, 公开日期: 2010-02-10
发明人: 李占国; 刘国军; 尤明慧; 李林; 李梅; 乔忠良; 邹永刚; 邓昀; 王勇; 王晓华; 赵英杰
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| 采用InGaSb柱形量子点实现高效率5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101626143A, 申请日期: 2010-01-13, 公开日期: 2010-01-13
发明人: 李占国; 刘国军; 尤明慧; 李林; 李梅; 乔忠良; 邓昀; 王勇; 王晓华; 赵英杰; 李联合
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| 一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101404246A, 申请日期: 2009-04-08, 公开日期: 2009-04-08
发明人: 李占国; 刘国军; 李林; 李梅; 尤明慧; 乔忠良; 王勇; 邓昀; 王晓华; 赵英杰; 李联合
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