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| 一种刻蚀散热增强型垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102694341A, 申请日期: 2012-09-26, 公开日期: 2012-09-26
发明人: 晏长岭; 邓昀; 徐莉; 冯源; 郝永芹; 田春雨; 贾霄; 赵英杰; 李鹏
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| 采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101572387B, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01
发明人: 刘国军; 李占国; 李林; 李梅; 尤明慧; 芦鹏; 陈佳音; 李辉; 王勇; 乔忠良; 邓昀; 高欣
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| 非圆环形腔半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101714744B, 申请日期: 2011-04-20, 公开日期: 2011-04-20
发明人: 晏长岭; 邓昀; 冯源; 钟景昌
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| 一种衬底侧出光窗口型垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101931163A, 申请日期: 2010-12-29, 公开日期: 2010-12-29
发明人: 晏长岭; 邓昀; 徐莉
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| 带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101710670A, 申请日期: 2010-05-19, 公开日期: 2010-05-19
发明人: 曲轶; 曲博文; 李辉; 邓昀; 张斯钰; 李月一; 刘规东; 娄丽; 刘国军; 薄报学; 高欣
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| 一种采用DWELL的中红外锑化物激光器结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101702490A, 申请日期: 2010-05-05, 公开日期: 2010-05-05
发明人: 尤明慧; 高欣; 李占国; 刘国军; 李林; 李梅; 王勇; 乔忠良; 邹永刚; 邓昀; 王晓华; 李联合
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| 采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101645577A, 申请日期: 2010-02-10, 公开日期: 2010-02-10
发明人: 李占国; 刘国军; 尤明慧; 李林; 李梅; 乔忠良; 邹永刚; 邓昀; 王勇; 王晓华; 赵英杰
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| 采用InGaSb柱形量子点实现高效率5μm通讯波段激光器结构的外延生长设计及方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101626143A, 申请日期: 2010-01-13, 公开日期: 2010-01-13
发明人: 李占国; 刘国军; 尤明慧; 李林; 李梅; 乔忠良; 邓昀; 王勇; 王晓华; 赵英杰; 李联合
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| 一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101478114A, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08
发明人: 邓昀; 曲轶; 张晶; 乔忠良; 李辉; 李梅; 芦鹏; 王玉霞; 高欣; 李占国; 刘国军; 王晓华
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| 一种大尺寸InGaSb量子点的外延生长方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101404246A, 申请日期: 2009-04-08, 公开日期: 2009-04-08
发明人: 李占国; 刘国军; 李林; 李梅; 尤明慧; 乔忠良; 王勇; 邓昀; 王晓华; 赵英杰; 李联合
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