采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器

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	采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器
其他题名	采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器
	王勇; 李占国; 孙琳; 于新雨; 尤明慧; 马炜; 王丽娟; 韩晓媚; 高占琦; 卢小香; 董明雪; 王岳
	2017-05-17
专利权人	长春理工大学
公开日期	2017-05-17
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有采用体布拉格光栅的外腔半导体激光器体积较大；现有采用内置布拉格光栅的分布反馈半导体激光器其制作需要进行芯片的二次外延生长，导致外延结构复杂，不可避免地造成污染和引进缺陷。本发明是一种边发射半导体激光器，激光器芯片外延结构的前腔面、后腔面均覆有增透膜，在后腔面增透膜上沉积有增反膜；所述增透膜为Si3N4膜；所述增反膜的膜系结构及材料为[Ge/SiO2]3Ge；在前腔面增透膜上沉积有一组平行条形增反膜，由前腔面增透膜和该组条形增反膜构成腔面光栅，腔面光栅方向与所述外延结构衬底方向垂直，腔面光栅占空比σ为0.2～0.3，所述条形增反膜的膜系结构及材料为[Ge/SiO2]3Ge。
其他摘要	采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有采用体布拉格光栅的外腔半导体激光器体积较大；现有采用内置布拉格光栅的分布反馈半导体激光器其制作需要进行芯片的二次外延生长，导致外延结构复杂，不可避免地造成污染和引进缺陷。本发明是一种边发射半导体激光器，激光器芯片外延结构的前腔面、后腔面均覆有增透膜，在后腔面增透膜上沉积有增反膜；所述增透膜为Si3N4膜；所述增反膜的膜系结构及材料为[Ge/SiO2]3Ge；在前腔面增透膜上沉积有一组平行条形增反膜，由前腔面增透膜和该组条形增反膜构成腔面光栅，腔面光栅方向与所述外延结构衬底方向垂直，腔面光栅占空比σ为0.2～0.3，所述条形增反膜的膜系结构及材料为[Ge/SiO2]3Ge。
授权日期	2017-05-17
申请日期	2014-10-11
专利号	CN104269738B
专利状态	授权
申请号	CN201410535783.3
公开（公告）号	CN104269738B
IPC 分类号	H01S5/068 \| H01S5/10
专利代理人	陶尊新
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43049
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王勇,李占国,孙琳,等. 采用腔面光栅的波长稳定半导体激光器. CN104269738B[P]. 2017-05-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104269738B.PDF（135KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文