采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器结构

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	采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器结构
其他题名	采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器结构
	刘国军; 李占国; 李林; 李梅; 尤明慧; 芦鹏; 陈佳音; 李辉; 王勇; 乔忠良; 邓昀; 高欣
	2011-06-01
专利权人	长春理工大学
公开日期	2011-06-01
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	大功率808nm半导体激光器被广泛应用于抽运Nd:YAG固体激光器、激光加工和激光医疗等领域。这是因为半导体激光器具有高效、结构紧凑、调制方便等优点。但是同时，人们一直关注半导体激光器的效率和温度特性等问题。本发明是关于一种采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器材料的设计和外延生长。采用波导层与有源层中插入应变量子势垒作为增大量子阱和起始垒层生长界面的物理距离和电子反射层，并且降低有源区与波导区异质结界面氧的积累的方法，在外延生长中利用多种有效方法和特殊的波导结构设计，提高导带边势能，增强防载流子泄露的能力，限制阈值电流密度，改善温度特性和激光器的量子效率。
其他摘要	大功率808nm半导体激光器被广泛应用于抽运Nd:YAG固体激光器、激光加工和激光医疗等领域。这是因为半导体激光器具有高效、结构紧凑、调制方便等优点。但是同时，人们一直关注半导体激光器的效率和温度特性等问题。本发明是关于一种采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器材料的设计和外延生长。采用波导层与有源层中插入应变量子势垒作为增大量子阱和起始垒层生长界面的物理距离和电子反射层，并且降低有源区与波导区异质结界面氧的积累的方法，在外延生长中利用多种有效方法和特殊的波导结构设计，提高导带边势能，增强防载流子泄露的能力，限制阈值电流密度，改善温度特性和激光器的量子效率。
授权日期	2011-06-01
申请日期	2009-04-10
专利号	CN101572387B
专利状态	失效
申请号	CN200910066798.9
公开（公告）号	CN101572387B
IPC 分类号	H01S5/028 \| H01S5/20 \| H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40397
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘国军,李占国,李林,等. 采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器结构. CN101572387B[P]. 2011-06-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101572387B.PDF（244KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文