一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构

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	一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构
其他题名	一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构
	尤明慧; 于新雨; 李占国; 刘景圣; 李士军; 欧仁侠; 高欣; 樊娟娟; 孙启响; 于秀玲; 李雪; 梁雪梅; 史明非; 孙连志
	2017-01-18
专利权人	吉林农业大学
公开日期	2017-01-18
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明专利是一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构，即采用生长的多层InGaSb量子点与能带非对称量子阱耦合结构，来提高激光器材料、器件的性能。这种创意会在很大程度上增大量子点的体密度，增加对载流子的俘获能力，对量子点分布的均匀性也有所改善，增加量子点的尺寸和引入Sb基量子点，能够使发光谱峰向通讯波段的长波长移动，波长可以覆盖5μm，从而达到拓展波长、提高激光器特征温度和降低阈值电流等目的。这一结构再加之GaAs基工艺的成熟性，易于与现有光电子器件集成等特点，GaAs基长波长含Sb量子点激光器将具有十分广阔的应用前景，对实现性能优异的中红外半导体激光器将具有重要意义。
其他摘要	本发明专利是一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构，即采用生长的多层InGaSb量子点与能带非对称量子阱耦合结构，来提高激光器材料、器件的性能。这种创意会在很大程度上增大量子点的体密度，增加对载流子的俘获能力，对量子点分布的均匀性也有所改善，增加量子点的尺寸和引入Sb基量子点，能够使发光谱峰向通讯波段的长波长移动，波长可以覆盖5μm，从而达到拓展波长、提高激光器特征温度和降低阈值电流等目的。这一结构再加之GaAs基工艺的成熟性，易于与现有光电子器件集成等特点，GaAs基长波长含Sb量子点激光器将具有十分广阔的应用前景，对实现性能优异的中红外半导体激光器将具有重要意义。
申请日期	2014-04-22
专利号	CN104037618B
专利状态	失效
申请号	CN201410172871
公开（公告）号	CN104037618B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48358
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	吉林农业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	尤明慧,于新雨,李占国,等. 一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构. CN104037618B[P]. 2017-01-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104037618B.PDF（91KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文