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制造激光器件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1877931A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13
发明人:  石田真也;  小河淳;  花冈大介
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氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1816952A, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2006-08-09
发明人:  山本秀一郎;  小河淳;  石田真也;  神川刚
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窒化物半導体レーザ光源の製造方法および窒化物半導体レーザ光源の製造装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006128629A, 申请日期: 2006-05-18, 公开日期: 2006-05-18
发明人:  谷 善彦;  小河 淳;  石田 真也
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窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3771987B2, 申请日期: 2006-02-17, 公开日期: 2006-05-10
发明人:  小河 淳;  湯浅 貴之
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窒素化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001156401A, 申请日期: 2001-06-08, 公开日期: 2001-06-08
发明人:  荒木 正浩;  湯浅 貴之;  上田 吉裕;  小河 淳;  津田 有三
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化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999135882A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21
发明人:  小河 淳;  湯浅 貴之
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