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半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3678769B2, 申请日期: 2005-05-20, 公开日期: 2005-08-03
发明人:  小沢 正文;  中山 典一;  日野 智公
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3470476B2, 申请日期: 2003-09-12, 公开日期: 2003-11-25
发明人:  小沢 正文;  樋江井 太
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集積素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003017717A, 申请日期: 2003-01-17, 公开日期: 2003-01-17
发明人:  小沢 正文;  山内 淨;  谷口 正
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半導体素子および半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999126947A, 申请日期: 1999-05-11, 公开日期: 1999-05-11
发明人:  小林 俊雅;  宮嶋 孝夫;  小沢 正文
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III-V族化合物半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998125655A, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-05-15
发明人:  小沢 正文
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998022586A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23
发明人:  小沢 正文;  中村 文彦;  河合 弘治
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半導体発光装置とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997246655A, 申请日期: 1997-09-19, 公开日期: 1997-09-19
发明人:  玉村 好司;  小沢 正文
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997167879A, 申请日期: 1997-06-24, 公开日期: 1997-06-24
发明人:  東條 剛;  小沢 正文;  池田 昌夫
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997121073A, 申请日期: 1997-05-06, 公开日期: 1997-05-06
发明人:  冨谷 茂隆;  小沢 正文;  伊藤 哲;  池田 昌夫
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II-VI族化合物半導体成長用基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996124854A, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-05-17
发明人:  小沢 正文
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