Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体素子および半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体素子および半導体発光素子 |
| 小林 俊雅; 宮嶋 孝夫; 小沢 正文 | |
| 1999-05-11 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1999-05-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 電極の密着性を改善することができる半導体素子を提供する。 【解決手段】 サファイアよりなる基板10の上にIII族ナイトライド化合物半導体よりそれぞれなるn側コンタクト層13,n型クラッド層14,活性層15,p型クラッド層16,p側コンタクト層17を順次積層する。p側コンタクト層17の上には絶縁膜18の開口18aを介してp側電極19が形成され、p側電極19および絶縁層18の上にはp側電極19の全面を覆うようにコンタクト用電極20が形成される。p側電極19はNiを含む金属により構成し、コンタクト用電極20はTiを含む金属により構成する。p側電極19によりオーミック接触を確保し、コンタクト用電極20によりp側電極19の密着性を補強する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种可以改善电极附着力的半导体元件。解决方案：分别由III族氮化物化合物半导体制成的n侧接触层13，n型覆层14，有源层15，p型覆层16和p侧接触层17另外，P侧电极19通过绝缘膜18的开口18a形成在p侧接触层17上，并且用于接触的电极20形成在p侧电极19上。绝缘层18覆盖电极19的整个表面。电极19由含Ni的金属构成，电极20由含Ti的另一种金属构成。借助于电极19固定欧姆接触，并且借助于电极20增强电极19的粘附性。 |
| 申请日期 | 1997-10-24 |
| 专利号 | JP1999126947A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997293035 |
| 公开（公告）号 | JP1999126947A |
| IPC 分类号 | H01L33/40 | H01S5/323 | H05K5/02 | H01S5/343 | G11B19/16 | H01S5/042 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/44 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87025 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 俊雅,宮嶋 孝夫,小沢 正文. 半導体素子および半導体発光素子. JP1999126947A[P]. 1999-05-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999126947A.PDF（79KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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