Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| III-V族化合物半導体素子の製造方法 | |
| 其他题名 | III-V族化合物半導体素子の製造方法 |
| 小沢 正文 | |
| 1998-05-15 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1998-05-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 n側電極のオーミック接触抵抗が低い窒素系III -V族化合物半導体素子を製造する方法を提供する。 【解決手段】 周期律表の第V族元素として窒素を含むn型III -V族化合物半導体層上に電極を形成するに当たり、化合物半導体層の電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるように化合物半導体層の電極形成面を処理し、その後、電極層を成膜する。好適には、エッチング速度が70nm/min以下の条件で反応性化学エッチングをn型化合物半導体層の電極形成面に施して、電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるようにする。また、別法として800℃以上の熱処理をn型化合物半導体層の電極形成面に施して、電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるようにする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过处理化合物半导体层的电极形成表面来降低N型电极的欧姆接触电阻，使得化合物半导体层的电极形成表面的化学计量变为低氮比。解决方案：从p型Ga覆层32到n型GaN覆层16，依次蚀刻电极形成表面区域的层叠结构，从而形成电极形成表面。在电极形成表面34上，通过真空蒸发方法依次沉积Ti / Al / Pt / Au层。在800℃下进行合金处理1分钟，从而形成n型电极36.此外，进行条形结构的加工，从而形成p型电极。因此，可以获得半导体激光器10。由此，可以形成半导体激光元件10，其中n型电极36和n型GaN包覆层16之间的欧姆接触的电阻率小。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1996-10-23 |
| 专利号 | JP1998125655A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996280455 |
| 公开（公告）号 | JP1998125655A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01L33/06 | H01L21/3065 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L21/302 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66252 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 正文. III-V族化合物半導体素子の製造方法. JP1998125655A[P]. 1998-05-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998125655A.PDF（34KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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