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II-VI族化合物半導体成長用基板
其他题名II-VI族化合物半導体成長用基板
小沢 正文
1996-05-17
专利权人SONY CORP
公开日期1996-05-17
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】 取り扱いが容易であり、ラッピングや劈開などを行う際に割れなどの損傷が生じないII-VI族化合物半導体成長用基板を提供する。 【構成】 II-VI族化合物半導体の成長に用いるGaAs基板またはZnSe基板の厚さを40〜200μmに選ぶことにより、そのそり量|x|が0<|x|≦0mmを満たすようにする。
其他摘要[目的]提供一种用于生长II-VI族化合物半导体的基板,该基板易于处理并且在进行研磨或解理时不会引起诸如破裂的损坏。 [溶液]通过选择用于生长II-VI化合物半导体的GaAs衬底或ZnSe衬底的厚度为40至200μm,翘曲量| x |满足0 <| x |≤0mm。 。
主权项-
申请日期1994-10-27
专利号JP1996124854A
专利状态失效
申请号JP1994340655
公开(公告)号JP1996124854A
IPC 分类号H01L21/363 | H01L21/203 | C30B29/48 | C30B25/18 | H01S5/00 | C30B23/08 | H01L33/28 | H01L33/00 | H01S3/18
专利代理人杉浦 正知
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67609
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
小沢 正文. II-VI族化合物半導体成長用基板. JP1996124854A[P]. 1996-05-17.
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