Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| II-VI族化合物半導体成長用基板 | |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体成長用基板 |
| 小沢 正文 | |
| 1996-05-17 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 取り扱いが容易であり、ラッピングや劈開などを行う際に割れなどの損傷が生じないII-VI族化合物半導体成長用基板を提供する。 【構成】 II-VI族化合物半導体の成長に用いるGaAs基板またはZnSe基板の厚さを40〜200μmに選ぶことにより、そのそり量|x|が0<|x|≦0mmを満たすようにする。 |
| 其他摘要 | [目的]提供一种用于生长II-VI族化合物半导体的基板，该基板易于处理并且在进行研磨或解理时不会引起诸如破裂的损坏。 [溶液]通过选择用于生长II-VI化合物半导体的GaAs衬底或ZnSe衬底的厚度为40至200μm，翘曲量| x |满足0 <| x |≤0mm。 。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1994-10-27 |
| 专利号 | JP1996124854A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994340655 |
| 公开（公告）号 | JP1996124854A |
| IPC 分类号 | H01L21/363 | H01L21/203 | C30B29/48 | C30B25/18 | H01S5/00 | C30B23/08 | H01L33/28 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67609 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 正文. II-VI族化合物半導体成長用基板. JP1996124854A[P]. 1996-05-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996124854A.PDF（47KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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