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Constructing 1D/0D Sb2S3/Cd0.6Zn0.4S S-scheme heterojunction by vapor transport deposition and in-situ hydrothermal strategy towards photoelectrochemical water splitting 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2024, 卷号: 975
作者:  Liu, Dekang;  Jin, Wei;  Zhang, Liyuan;  Li, Qiujie;  Sun, Qian;  Wang, Yishan;  Hu, Xiaoyun;  Miao, Hui
Adobe PDF(6121Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：107/0  |  提交时间：2024/01/03
Sb2S3  Vapor transport deposition  S-scheme heterojunction  Photoelectrochemical water splitting  
Novel Sb2S3-xSex photocathode decorated NiFe-LDH hole blocking layer with enhanced photoelectrochemical performance 期刊论文
Applied Surface Science, 2023, 卷号: 639
作者:  Zhang, Liyuan;  Xin, Chang;  Jin, Wei;  Sun, Qian;  Wang, Yishan;  Wang, Jiawei;  Hu, Xiaoyun;  Miao, Hui
Adobe PDF(5079Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：137/1  |  提交时间：2023/09/01
Sb2S3-xSex  NiFe-LDH  Hole blocking layer  PEC water splitting  
Epitaxial growth strategy for construction of Tm3+ doped and [hk1] oriented Sb2S3 nanorods S-scheme heterojunction with enhanced photoelectrochemical performance 期刊论文
Chemical Engineering Journal, 2023, 卷号: 475
作者:  Liu, Xinyang;  Zhang, Liyuan;  Jin, Wei;  Li, Qiujie;  Sun, Qian;  Wang, Yishan;  Liu, Enzhou;  Hu, Xiaoyun;  Miao, Hui
Adobe PDF(12636Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：114/0  |  提交时间：2023/10/30
S-scheme heterojunction  Fermi level pinning  Doping strategy  Epitaxial growth  Photoelectrochemical performance  
GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
发明人:  孙钱;  冯美鑫;  周宇;  杨辉;  池田昌夫;  刘建平;  张书明;  李德尧;  张立群
Adobe PDF(442Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：180/0  |  提交时间：2019/12/26
GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
发明人:  孙钱;  冯美鑫;  周宇;  杨辉;  池田昌夫;  刘建平;  张书明;  李德尧;  张立群
Adobe PDF(442Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：176/0  |  提交时间：2019/12/26
一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108718030A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
发明人:  孙钱;  冯美鑫;  周宇;  高宏伟;  杨辉
Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：163/0  |  提交时间：2019/12/31
氮化物半导体发光器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108305918A, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2018-07-20
发明人:  孙钱;  冯美鑫;  周宇;  高宏伟;  杨辉
Adobe PDF(569Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：93/0  |  提交时间：2019/12/30
超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106898948A, 申请日期: 2017-06-27, 公开日期: 2017-06-27
发明人:  高雪;  周坤;  孙逸;  冯美鑫;  刘建平;  孙钱;  张书明;  李德尧;  张立群;  杨辉
Adobe PDF(84Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：120/0  |  提交时间：2020/01/18
GaN基半导体器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106684213A, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2017-05-17
发明人:  严威;  孙逸;  冯美鑫;  周宇;  孙钱;  杨辉
Adobe PDF(158Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2020/01/18
Hydrothermal synthesis of MoS2 nanosheets films: Microstructure and formation mechanism research 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 166, 页码: 121-124
作者:  Miao, Hui;  Hu, Xiaoyun;  Sun, Qian;  Hao, Yuanyuan;  Wu, Hao;  Zhang, Dekai;  Bai, Jintao;  Liu, Enzhou;  Fan, Jun;  Hou, Xun;  Hu, XY
Adobe PDF(1614Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：337/1  |  提交时间：2016/01/11
Thin Films  Crystal Growth  Microstructure