中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共33条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3969029B2, 申请日期: 2007-06-15, 公开日期: 2007-08-29
发明人:  琵琶 剛志;  奥山 浩之;  土居 正人;  大畑 豊治
Adobe PDF(133Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2019/12/23
半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲;  中野 一志;  池田 昌夫;  日野 智公;  浮田 昌一
Adobe PDF(134Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3505780B2, 申请日期: 2003-12-26, 公开日期: 2004-03-15
发明人:  石橋 晃;  中山 典一;  奥山 浩之
Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3398966B2, 申请日期: 2003-02-21, 公开日期: 2003-04-21
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋
Adobe PDF(56Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：147/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザー及び発光ダイオード 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3326833B2, 申请日期: 2002-07-12, 公开日期: 2002-09-24
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋
Adobe PDF(47Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3239550B2, 申请日期: 2001-10-12, 公开日期: 2001-12-17
发明人:  奥山 浩之;  石橋 晃
Adobe PDF(35Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/13
窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000164512A, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-06-16
发明人:  奥山 浩之;  中村 文彦;  中島 博
Adobe PDF(60Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000031590A, 申请日期: 2000-01-28, 公开日期: 2000-01-28
发明人:  奥山 浩之
Adobe PDF(154Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：266/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000022276A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
发明人:  冨谷 茂隆;  喜嶋 悟;  奥山 浩之;  谷口 理;  塚本 弘範
Adobe PDF(61Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2982340B2, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-11-22
发明人:  秋本 克洋;  奥山 浩之
Adobe PDF(19Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2020/01/18