半導体素子の製造方法

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	半導体素子の製造方法
其他题名	半導体素子の製造方法
	琵琶剛志; 奥山浩之; 土居正人; 大畑豊治
	2007-06-15
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2007-08-29
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】成長基板上の窒化物系化合物半導層を素子に分離する際に、下地成長層を成長基板とともに分離することができ、第一導電層に裏面から電極を効率良く形成することができる半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供することを目的とする【解決手段】基板上に形成される下地成長層より小さいバンドギャップエネルギーの半導体を用いて第一導電層を形成すると、これらのバンドギャップエネルギーの間にエネルギー値を有するレーザ光を照射すると、下地成長層と第一導電層との第一導電層側界面においてアブレーションが生じ、選択成長により形成された半導体成長層は基板及び下地成長層から分離されると同時に素子毎に分離され、結晶性が良く電極形成に適した第一導電層に効率良く裏面から電極を形成することができる。
其他摘要	【课题】在元件在生长衬底上分离氮化物化合物半导体层，它能够将下生长层与所述生长衬底一起分离，从后表面到第一导电层的半导体元件的电极可以有效地形成和用于一个目的是提供一种制造半导体器件的方法】当形成使用由小的带隙能量比下生长层的基板上形成的半导体的第一导电层，它照射具有这些带隙能量之间的能量值的激光时，下生长层第一的一种导电层的第一导电层侧界面
申请日期	2001-08-03
专利号	JP3969029B2
专利状态	失效
申请号	JP2001237087
公开（公告）号	JP3969029B2
IPC 分类号	H01L33/20 \| B23K101/40 \| H01L29/06 \| H01L21/8222 \| H01S5/10 \| B23K26/00 \| B23K \| H01S \| H01L \| H01L21/00 \| H01L21/20 \| H01L33/32 \| H01S5/323 \| H01L21/302 \| H01L33/40 \| H01L33/00
专利代理人	角田芳末 \| 磯山弘信
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33749
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	琵琶剛志,奥山浩之,土居正人,等. 半導体素子の製造方法. JP3969029B2[P]. 2007-06-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3969029B2.PDF（133KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文