Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 奥山 浩之; 秋本 克洋 | |
| 2003-02-21 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 2003-04-21 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 基体上にII-VI族化合物半導体による短波長半導体発光素子を構成する。 【構成】 基体1上に、ZnMgSSe系のクラッド層2及び4によって挟み込まれたダブルヘテロ接合型のII-VI族化合物半導体発光素子を構成する。 |
| 其他摘要 | [目的]在基板上构建使用II-VI族化合物半导体的短波长半导体发光器件。 在基板1上形成夹在ZnMgSSe型包层2和4之间的双异质结II-VI族化合物半导体发光元件。 |
| 申请日期 | 1992-02-19 |
| 专利号 | JP3398966B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992032253 |
| 公开（公告）号 | JP3398966B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01S5/327 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 角田 芳末 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87898 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥山 浩之,秋本 克洋. 半導体発光素子. JP3398966B2[P]. 2003-02-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3398966B2.PDF（56KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [奥山 浩之]的文章 |
| [秋本 克洋]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [奥山 浩之]的文章 |
| [秋本 克洋]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [奥山 浩之]的文章 |
| [秋本 克洋]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论