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GaN基半导体器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100440656C, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2008-12-03
发明人:  后藤修;  松本治;  佐佐木智美;  池田昌夫
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光半导体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101242078A, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13
发明人:  上田诚;  后藤修;  和泉茂一
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多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100376064C, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2008-03-19
发明人:  东条刚;  矢吹义文;  安斋信一;  日野智公;  后藤修;  藤本强;  松本治;  竹谷元伸;  大藤良夫
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半导体光发射装置以及一种装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
发明人:  朝妻庸纪;  冨谷茂隆;  玉村好司;  东条刚;  后藤修;  元木健作
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多光束半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1305193C, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14
发明人:  东条刚;  日野智公;  后藤修;  矢吹义文;  安斋信一;  内田史朗;  池田昌夫
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氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24
发明人:  后藤修;  浅野竹春;  竹谷元伸;  簗克典;  池田真朗;  涉谷胜义;  铃木康彦
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半导体激光器的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  后藤修;  山田光志;  八重樫浩树;  堀川英明
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半导体激光器的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  后藤修;  山田光志;  八重樫浩树;  堀川英明
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光半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3306390B2, 申请日期: 2002-05-10, 公开日期: 2002-07-24
发明人:  下山謙司;  後藤秀樹
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