GaN基半导体器件

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	GaN基半导体器件
其他题名	GaN基半导体器件
	后藤修; 松本治; 佐佐木智美; 池田昌夫
	2008-12-03
专利权人	索尼株式会社
公开日期	2008-12-03
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种GaN半导体发光器件，形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构，除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN-ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a)，核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。
其他摘要	一种GaN半导体发光器件，形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构，除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN-ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a)，核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。
申请日期	2003-06-19
专利号	CN100440656C
专利状态	授权
申请号	CN03819204.7
公开（公告）号	CN100440656C
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L33/00 \| H01L33/06 \| H01L33/14 \| H01L33/32 \| H01L33/36 \| H01L33/44 \| H01S5/02 \| H01S5/323
专利代理人	李晓舒 \| 魏晓刚
代理机构	北京市柳沈律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48937
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	索尼株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	后藤修,松本治,佐佐木智美,等. GaN基半导体器件. CN100440656C[P]. 2008-12-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100440656C.PDF（1254KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文