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光半导体装置
其他题名光半导体装置
上田诚; 后藤修; 和泉茂一
2008-08-13
专利权人优迪那半导体有限公司
公开日期2008-08-13
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种光半导体装置,其能够提高将半导体芯片安装到安装部上时的对位精度。本发明为一种光半导体装置,其具有:第一电极(20),其设置在半导体芯片(35)的表面和背面中的任一个面上,并与安装部(40)的第一接合面(43)接合;第二电极(30),其设置在半导体芯片(35)的侧面、表面和背面中的任一个面上,并且与第二接合面(45)接合,该第二接合面(45)设置在所述安装部(40)上,并且与第一接合面(47)交叉。
其他摘要本发明提供一种光半导体装置,其能够提高将半导体芯片安装到安装部上时的对位精度。本发明为一种光半导体装置,其具有:第一电极(20),其设置在半导体芯片(35)的表面和背面中的任一个面上,并与安装部(40)的第一接合面(43)接合;第二电极(30),其设置在半导体芯片(35)的侧面、表面和背面中的任一个面上,并且与第二接合面(45)接合,该第二接合面(45)设置在所述安装部(40)上,并且与第一接合面(47)交叉。
申请日期2008-02-05
专利号CN101242078A
专利状态失效
申请号CN200810008694
公开(公告)号CN101242078A
IPC 分类号H01S5/022 | H01L21/52
专利代理人陈坚
代理机构北京三友知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90016
专题半导体激光器专利数据库
作者单位优迪那半导体有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
上田诚,后藤修,和泉茂一. 光半导体装置. CN101242078A[P]. 2008-08-13.
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