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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3679010B2, 申请日期: 2005-05-20, 公开日期: 2005-08-03
发明人:  古谷 章;  穴山 親志;  杉浦 勝己;  中尾 健誠;  長谷川 太郎
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発光素子用ステム及び発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3216396B2, 申请日期: 2001-08-03, 公开日期: 2001-10-09
发明人:  古谷 章;  須藤 久男
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ストライプレーザダイオードおよびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2945546B2, 申请日期: 1999-06-25, 公开日期: 1999-09-06
发明人:  近藤 真人;  穴山 親志;  古谷 章;  菅野 真実;  堂面 恵;  棚橋 俊之;  関口 洋
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998154844A, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09
发明人:  古谷 章
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半導体装置の組み立て方法及び組み立て装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995335970A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
发明人:  古谷 章
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半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995321412A, 申请日期: 1995-12-08, 公开日期: 1995-12-08
发明人:  鬼頭 泰浩;  古谷 章;  須藤 久男;  倉又 朗人;  堀野 和彦
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995263799A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
发明人:  堂免 恵;  古谷 章
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995263805A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
发明人:  穴山 親志;  古谷 章
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995162079A, 申请日期: 1995-06-23, 公开日期: 1995-06-23
发明人:  古谷 章;  堂免 恵;  穴山 親志;  近藤 真人
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半導体レ-ザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995014101B2, 申请日期: 1995-02-15, 公开日期: 1995-02-15
发明人:  古谷 章
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