半導体レーザ及びその製造方法

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	半導体レーザ及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ及びその製造方法
	古谷章; 穴山親志; 杉浦勝己; 中尾健誠; 長谷川太郎
	2005-05-20
专利权人	ユーディナデバイス株式会社
公开日期	2005-08-03
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】S3 型半導体レーザに関し、光出力特性のキンク強度を改善すること。【解決手段】段差基板1上に形成される第1n型クラッド層4のうちの上側の斜面4aの下部測線と下側の斜面3aの下部側線とを結ぶ第1成長形状線が主面に対してなす角度をθ1 とし、第1n型クラッド層4上の第2n型クラッド層5のうちの上側の斜面5aと下側の斜面4aのそれぞれの下部測線を結ぶ第2成長形状線が主面に対してなす角度をθ2 とし、第2n型クラッド層5上の第3n型クラッド層6のうちの上側の斜面6aと下側の斜面5aのそれぞれの下部側線を結ぶ第3成長形状線が主面に対してなす角度をθ3 とし、第3n型クラッド層6上の第4n型クラッド層7のうちの上側の斜面7aと下側の斜面6aのそれぞれの下部側線を結ぶ第4成長形状線が主面に対してなす角度をθ4 として、θ1 2 、θ2 >θ3 、θ3 4 の関係を満たすこと。
其他摘要	要解决的问题：提高S3型半导体激光器的光输出特性的扭结强度。解决方案：该半导体激光器满足条件＆θ1<θ2，θ2＆θ3和θ3<θ4，其中θ1是第一生长形状线的角度，连接上倾斜表面4a的下侧线相对于主表面形成在台阶状基板1上的第一n型覆盖层4的下倾斜表面3a的下侧线; θ2是将第1 n型覆盖层4上的第2 n型覆盖层5的上斜面5a的下侧横线与下倾斜面4a连接到主表面的第2生长形状线的角度， θ3是连接第二n型覆盖层5上的第三n型覆盖层6的上斜面6a的下侧线与下斜面5a相对于主体的第三生长形状线的角度表面; ＆ltta4，将第3 n型包覆层6上的第4 n型包覆层7的上斜面7a的下侧横线与下倾斜面6a连接在主表面上的第4生长形状线的角度。
申请日期	2001-01-18
专利号	JP3679010B2
专利状态	失效
申请号	JP2001010427
公开（公告）号	JP3679010B2
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01L \| H01S \| H01S5/343 \| H01L21/205 \| H01S5/223 \| H01S5/00 \| H01S5/22
专利代理人	岡本啓三
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84950
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ユーディナデバイス株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	古谷章,穴山親志,杉浦勝己,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP3679010B2[P]. 2005-05-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3679010B2.PDF（114KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文