半導体レ-ザ

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	半導体レ-ザ
其他题名	半導体レ-ザ
	古谷章
	1995-02-15
专利权人	富士通株式会社
公开日期	1995-02-15
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enable to control the oscillating wavelength of a laser beam without consuming electric power by a method wherein a quantum well construction is furnished to an optical waveguide on a Bragg reflection mirror, and a reverse directional electric field to P-N junction of a semiconductor substrate is applied in the laminating direction of the construction thereof. CONSTITUTION:An active layer 4 (act as a waveguide together with a waveguide layer 3) is made to have a quantum well construction consisting of InGaAsP layers 4a, 4b of two kinds having different compositions. The semiconductor laser element thereof radiates a laser beam from the quantum well active layer 4 under a P-side electrode 10 according to injection of a current from the P-side electrode 10 and an N-side electrode 12, the active layer 4 thereof and the waveguide layer 3 act as the waveguide, and oscillating wave length is decided as usual according to an optical resonator constructed by a Bragg reflection according to a grating 7 and a reflection according to a cleavage plane 13, while the quantum well construction is contained in the waveguide thereof on the grating 7, and oscillating wave length can be controlled by applying a voltage being reverse to the N-side electrode 12 to a control electrode 11, and changing thereby the index of refraction thereof.
其他摘要	目的：通过一种方法控制激光束的振荡波长而不消耗电能，其中量子阱结构提供给布拉格反射镜上的光波导，反向电场提供给半导体衬底的PN结在其结构的层压方向上施加。组成：有源层4（与波导层3一起充当波导）制成具有由具有不同成分的两种InGaAsP层4a，4b组成的量子阱结构。根据来自P侧电极10和N侧电极12的电流的注入，其半导体激光元件从P侧电极10下方的量子阱有源层4发射激光束，其有源层4和波导层3用作波导，并且根据由根据光栅7的布拉格反射和根据解理面13的反射构造的光学谐振器照常确定振荡波长，而量子阱结构包含在通过将与N侧电极12相反的电压施加到控制电极11，并由此改变其折射率，可以控制其在光栅7上的波导和振荡波长。
申请日期	1986-02-07
专利号	JP1995014101B2
专利状态	失效
申请号	JP1986025036
公开（公告）号	JP1995014101B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/125 \| H01S5/343 \| H01S5/06 \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01S3/103
专利代理人	井桁貞一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87175
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士通株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	古谷章. 半導体レ-ザ. JP1995014101B2[P]. 1995-02-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995014101B2.PDF（19KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文