Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| ストライプレーザダイオードおよびその製造方法 | |
| 其他题名 | ストライプレーザダイオードおよびその製造方法 |
| 近藤 真人; 穴山 親志; 古谷 章; 菅野 真実; 堂面 恵; 棚橋 俊之; 関口 洋 | |
| 1999-06-25 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1999-09-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 電流狭窄効率の向上したストライプレーザダイオードをMOCVD法により形成するレーザダイオードの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 レーザダイオードのクラッド層をInGaAlPのMOCVD成長で形成する場合に、ソースガスにMgのドーパントガスを混入し、結晶面の面方位によらず一様なドーパント濃度を達成する。またソースガスにZnとSeのドーパントガスを混入し、ストライプレーザダイオードのストライプ構造部分に電流が集中するようにドープレベルを設定する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法有效地构建输入激光二极管的驱动电流，其中，使用Mg作为P型掺杂剂，无论晶面如何，均匀地设定通过MOCVD法生长的包层的电阻率。组成：通过沉积包含In，Ga，Al和P的源气体，以包含第一条纹结构301a的方式，在半导体衬底上形成InGaAlP层305和309。第二条纹结构形成在InGaAlP层上，第二条纹结构通过对应于每个非等效表面的多个结晶学非等效表面构成第一条纹结构。在通过向含有In，Ga，Al和P的源气体中添加含Mg的源气体来生长InGaAlP层的同时，在构成第二条纹结构的晶体表面上均匀地进行P型掺杂操作。 |
| 申请日期 | 1992-09-18 |
| 专利号 | JP2945546B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992250280 |
| 公开（公告）号 | JP2945546B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01L | H01S | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01S3/18662 |
| 专利代理人 | 伊東 忠彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47466 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 真人,穴山 親志,古谷 章,等. ストライプレーザダイオードおよびその製造方法. JP2945546B2[P]. 1999-06-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2945546B2.PDF（318KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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