半導体装置

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	半導体装置
其他题名	半導体装置
	鬼頭泰浩; 古谷章; 須藤久男; 倉又朗人; 堀野和彦
	1995-12-08
专利权人	富士通株式会社
公开日期	1995-12-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】半導体素子をインジウムはんだを用いて実装基板上に接続するII-VI族化合物半導体レーザ等の半導体装置の構造に関し、インジウム半田の可塑性を維持して昇温時に熱膨張率の差により基板から半導体素子の活性層に応力歪みが及ぼされのを防止する。【構成】半導体素子1をインジウムはんだ7を用いて実装基板2上に接続してなる半導体装置において、はんだ接続に用いられる半導体素子1の基板接続用電極6が、最下層に、該半導体素子1にオーミックに接続するコンタクト金属層3を有し最上層にインジウムはんだ7と融合し易い金属によるボンディング金属層5を有し、且つコンタクト金属層3とボンディング金属層5との間にはんだ着け温度において該コンタクト金属及びボンディング金属の何れとも融合反応を起こさないバリア金属層4が挿入された構造を有する。
其他摘要	该目标半导体器件涉及II-VI族化合物半导体激光等，通过使用铟焊料，以保持在淳Nobori铟焊料可塑性被连接到安装板的半导体装置的结构，由于在热膨胀系数衬底的差为了防止应力应变施加在半导体元件的有源层上。 [配置]在通过安装基板2上的连接使用In焊锡7，在焊料连接中使用的半导体元件1的衬底连接电极6形成在半导体器件的半导体器件1中，以最低的层，在半导体元件1具有由金属结合金属层5，其容易与铟焊料7的顶层上稠合有一个接触金属层3被连接到欧姆到，并且在焊料佩戴接触金属层3与键合金属层之间的温度下5并且插入不与任何接触金属和接合金属发生熔合反应的阻挡金属层4。
申请日期	1994-05-27
专利号	JP1995321412A
专利状态	失效
申请号	JP1994114989
公开（公告）号	JP1995321412A
IPC 分类号	H01L33/40 \| H01L33/62 \| H01L21/52 \| H01L33/30 \| H01L33/14 \| H01S5/00 \| H01L33/64 \| H01L33/28 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	井桁貞一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71225
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士通株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	鬼頭泰浩,古谷章,須藤久男,等. 半導体装置. JP1995321412A[P]. 1995-12-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995321412A.PDF（44KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文