中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000269599A, 申请日期: 2000-09-29, 公开日期: 2000-09-29
发明人:  加藤 久弥;  安部 克則;  渥美 欣也
Adobe PDF(66Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2020/01/18
レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999046034A, 申请日期: 1999-02-16, 公开日期: 1999-02-16
发明人:  加藤 久弥;  後藤 吉孝;  安部 克則;  渥美 欣也;  照井 武和;  松下 規由起
Adobe PDF(181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2020/01/18
レーザダイオードの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999040881A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
发明人:  後藤 吉孝;  加藤 久弥;  渥美 欣也
Adobe PDF(92Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2019/12/31
レーザダイオード 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999040882A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
发明人:  松下 規由起;  加藤 久弥;  渥美 欣也
Adobe PDF(75Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995142811A, 申请日期: 1995-06-02, 公开日期: 1995-06-02
发明人:  加藤 久弥;  久野 裕也;  冨田 一義;  加納 浩之
Adobe PDF(28Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995142810A, 申请日期: 1995-06-02, 公开日期: 1995-06-02
发明人:  加藤 久弥;  久野 裕也;  冨田 一義;  加納 浩之
Adobe PDF(35Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2020/01/18