レーザダイオードの製造方法

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	レーザダイオードの製造方法
其他题名	レーザダイオードの製造方法
	後藤吉孝; 加藤久弥; 渥美欣也
	1999-02-12
专利权人	株式会社デンソー
公开日期	1999-02-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】台座の上に搭載部品を半田接合する際にこの搭載部品の割れ等の不具合を解消することができるレーザダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】レーザダイオードチップ22は、オキサイドストライプ形のヘテロ接合を有し、n-GaAs基板2、n-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層5、活性層6、p-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層8、p-GaAsコンタクト層9等からなる。レーザダイオードチップ22の下に、1mΩ以上の抵抗値を有するサブマウント(n-GaAs基板)14が配置されている。サブマウント14は台座27上に接合されている。製造の際は、接合面31にAuメッキ層17を形成した台座27を用意するとともに、接合面30に2.0μm以上の厚さを有するAu-Sn膜25を形成したサブマウント14を用意し、台座27の上にサブマウント14を半田接合する。
其他摘要	要解决的问题：提供一种制造激光二极管的方法，其中当通过焊接将安装部件接合在基座上时，可以防止安装部件的诸如裂缝等缺陷。解决方案：激光二极管芯片22具有氧化物条型异质结，它包括n-GaAs衬底2，n-Al0.4Ga0.6As包层5，有源层6，p-Al0.4 Ga0.6作为包层8和p-GaAs接触层9等。在激光二极管芯片22的下方配置电阻值为1mΩ以上的副安装座（n-GaAs基板）14。在制造激光二极管时，制备基座27，其上在结表面3上形成镀Au层17，基座14，其上具有2.0μm的Au-Sn膜25。在接合面30上形成厚度或更大的厚度，并且在基座27上焊接接头14。
主权项	-
申请日期	1997-07-18
专利号	JP1999040881A
专利状态	失效
申请号	JP1997194508
公开（公告）号	JP1999040881A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	恩田博宣
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64495
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社デンソー
推荐引用方式 GB/T 7714	後藤吉孝,加藤久弥,渥美欣也. レーザダイオードの製造方法. JP1999040881A[P]. 1999-02-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999040881A.PDF（92KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文