Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 加藤 久弥; 久野 裕也; 冨田 一義; 加納 浩之 | |
| 1995-06-02 | |
| 专利权人 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 公开日期 | 1995-06-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 より簡単なプロセスにて製造できる半導体レーザ及びその製造方法を提供することにある。 【構成】 n-GaAs基板1上には、n-GaAs基板1のストライプ状の露出部を残してSiO2 層2が配置されている。SiO2 層2でのn-GaAs基板1の露出部上には単結晶積層部13が形成され、単結晶積層部13はn-GaAs基板1とSiO2 層2との間の選択成長によりn-AlGaAsクラッド層3とi-GaAs活性層4とp-AlGaAsクラッド層5とが順に積層されたものである。又、SiO2 層2上には多結晶積層部14が形成され、多結晶積層部14は前記選択成長に伴い形成されたものである。 |
| 其他摘要 | 本发明的一个目的是提供一种可以通过更简单的工艺制造的半导体激光器及其制造方法。 SiO 2 层2设置在n-GaAs衬底1上，留下n-GaAs衬底1的条纹暴露部分。在SiO 2 2 层2中的n-GaAs衬底1的暴露部分上，形成单晶层叠部分13，并且通过层叠n-GaAs衬底1和SiO 2形成单晶层叠部分13 层2依次层叠n-AlGaAs包覆层3，i-GaAs活性层4和p-AlGaAs包覆层5。在SiO 2 2 层2上形成多晶层叠部分14，并根据选择性生长形成多晶层叠部分14。 |
| 申请日期 | 1993-11-22 |
| 专利号 | JP1995142811A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993292184 |
| 公开（公告）号 | JP1995142811A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 恩田 博宣 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77796 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 久弥,久野 裕也,冨田 一義,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1995142811A[P]. 1995-06-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995142811A.PDF（28KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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