Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 加藤 久弥; 久野 裕也; 冨田 一義; 加納 浩之 | |
| 1995-06-02 | |
| 专利权人 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 公开日期 | 1995-06-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 高温作動時において活性層内の電子がpクラッド層内にオーバフローすることを抑制するとともに、発光強度分布の対称性を保つことができる半導体レーザを提供することにある。 【構成】 n-GaAs基板1上に、n-AlGaAsクラッド層2、多重量子障壁活性層5、p-AlGaAsクラッド層6、p+ -GaAsコンタクト層7が順に積層されている。多重量子障壁活性層5は、i-GaAs活性層3と多重量子障壁層4とi-GaAs活性層3との積層構造からなる。この多重量子障壁層4は、i-AlGaAs障壁層4aとi-GaAs井戸層4bがこの順に交互に合計7層積層されたものである。i-AlGaAs障壁層4aはi-GaAs活性層3よりバンドギャップが大きく、i-GaAs井戸層4bは障壁層4aよりバンドギャップが小さい。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种半导体激光器，其中可以抑制有源层中的电子溢出到p型包层中，并且可以保持发光强度分布对称。组成：在n型GaAs衬底1上依次建立n型AlGaAs包层2，多量子势垒有源层5，p型AlGaAs包层6和p +型GaAs接触层7多量子势垒有源层5具有由i型GaAs有源层3，多量子势垒层4和i型GaAs有源层3组成的多层结构。多量子势垒层4由i-组成。形成七层结构的AlGaAs势垒层4a和i型GaAs阱层4b形成七层结构i型AlGaAs势垒层4a的带隙大于i型GaAs有源层的带隙如图3所示，i型GaAs阱层4b的带隙小于阻挡层4a的带隙。 |
| 申请日期 | 1993-11-17 |
| 专利号 | JP1995142810A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993288464 |
| 公开（公告）号 | JP1995142810A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 恩田 博宣 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87262 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 久弥,久野 裕也,冨田 一義,等. 半導体レーザ. JP1995142810A[P]. 1995-06-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995142810A.PDF（35KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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