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レーザダイオード
其他题名レーザダイオード
松下 規由起; 加藤 久弥; 渥美 欣也
1999-02-12
专利权人DENSO CORP
公开日期1999-02-12
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】台座上にマウントされる部材に割れが発生しにくいレーザダイオードを提供する。 【解決手段】レーザダイオードチップ22は、オキサイドストライプ形のヘテロ接合を有し、n-GaAs基板2、n-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層5、活性層6、p-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層8、p-GaAsコンタクト層9等からなる。合金層13の下に、1mΩ以上の抵抗値を有するサブマウント(n-GaAs基板)14が配置されている。サブマウント14は合金層15にて台座27上に接合されている。サブマウント14における台座27との接合面14aは研磨面となっている。
其他摘要要解决的问题:提供一个激光二极管,在该激光二极管上几乎不会在要安装在基座上的构件上产生裂缝。解决方案:激光二极管芯片22具有氧化物带型异质结,它包括n-GaAs衬底2,n-Al0.4 Ga0.6As层5,有源层6,n-Al0.4Ga0 .6作为包层8和p-GaAs接触层9等。具有1mΩ或更高的电阻值的基座(n-GaAs基板)14布置在合金层13下面。基座14是通过合金层15连接在基座27上。与基座14中的基座27的接合表面14a具有抛光表面。
申请日期1997-07-18
专利号JP1999040882A
专利状态失效
申请号JP1997194509
公开(公告)号JP1999040882A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人恩田 博宣
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84153
专题半导体激光器专利数据库
作者单位DENSO CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
松下 規由起,加藤 久弥,渥美 欣也. レーザダイオード. JP1999040882A[P]. 1999-02-12.
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