Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 加藤 久弥; 安部 克則; 渥美 欣也 | |
| 2000-09-29 | |
| 专利权人 | DENSO CORP |
| 公开日期 | 2000-09-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 大出力で利得導波型の半導体レーザ装置で、FFP//(活性層に平行な遠視野像)が双峰性とならないようにする。 【解決手段】 レーザチップ21は、n型GaAs基板22上にクラッド層23,活性層24,クラッド相25,キャップ層26を順次積層形成し、この上にストライプ状に開口した絶縁膜27を介して上部電極29を形成すると共に、下面に下部電極30を形成する。電流注入領域28の幅寸法は、出射端面21a側で狭く、反射端面21b側で広く設定される。レーザ光は、出射端面21aから出力する際に、狭くなった外側の部分の活性層24で光が吸収されることになり、中心部の光を主として出力させることができるので、FFP//は双峰性を抑制したものとすることができる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：当激光器具有高功率增益导向类型时，为了避免形成FFP的双峰形状//（与有源层平行的远场图像）。解决方案：激光芯片21包括包层23，有源层24，包层25和盖层26或层叠在n型GaAs基板22上，通过条状穿孔绝缘层在其上形成的顶部电极29薄膜27和底面上的底部电极30。电流注入区域28的宽度在发射和面21a处设置得窄而在反射端面处设置得宽。在从发射端面21a输出激光束时，由于光被有源层24在狭窄的外侧部分吸收，因此可以主要输出中心部分的光，从而可以抑制FFP //的双峰形状。 。 |
| 申请日期 | 1999-03-17 |
| 专利号 | JP2000269599A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999072223 |
| 公开（公告）号 | JP2000269599A |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/20 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 佐藤 強 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86595 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | DENSO CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 久弥,安部 克則,渥美 欣也. 半導体レーザ装置. JP2000269599A[P]. 2000-09-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000269599A.PDF（66KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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