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半导体发光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102214896A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12
发明人:  前田修;  汐先政贵;  佐藤进;  荒木田孝博;  内田史朗
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半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102122792A, 申请日期: 2011-07-13, 公开日期: 2011-07-13
发明人:  荒木田孝博;  内田史朗;  汐先政贵;  前田修
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光素子集積装置およびその製造方法、並びに面発光レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011096857A, 申请日期: 2011-05-12, 公开日期: 2011-05-12
发明人:  荒木田 孝博;  内田 史朗;  汐先 政貴;  前田 修
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光モジュール 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011096319A, 申请日期: 2011-05-12, 公开日期: 2011-05-12
发明人:  内田 史朗;  荒木田 孝博;  汐先 政貴;  前田 修
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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4001956B2, 申请日期: 2007-08-24, 公开日期: 2007-10-31
发明人:  内田 史朗
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多光束半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1305193C, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14
发明人:  东条刚;  日野智公;  后藤修;  矢吹义文;  安斋信一;  内田史朗;  池田昌夫
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半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1822458A, 申请日期: 2006-08-23, 公开日期: 2006-08-23
发明人:  我妻新一;  内田史朗
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2005235865A, 申请日期: 2005-09-02, 公开日期: 2005-09-02
发明人:  我妻 新一;  内田 史朗
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半導体レーザー 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3493920B2, 申请日期: 2003-11-21, 公开日期: 2004-02-03
发明人:  内田 史朗
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自励発振型半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3427649B2, 申请日期: 2003-05-16, 公开日期: 2003-07-22
发明人:  平田 照二;  内田 史朗
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