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AlGaAs系半導体レーザ素子、光ピックアップ装置および光記録·再生装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006041072A, 申请日期: 2006-02-09, 公开日期: 2006-02-09
发明人:  中野 一志
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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25
发明人:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲;  中野 一志;  池田 昌夫;  日野 智公;  浮田 昌一
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3449751B2, 申请日期: 2003-07-11, 公开日期: 2003-09-22
发明人:  中野 一志;  大畑 豊治;  伊藤 哲;  中山 典一
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半導体レーザー 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3057285B2, 申请日期: 2000-04-21, 公开日期: 2000-06-26
发明人:  中野 一志;  石橋 晃;  秋本 克洋
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999145565A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
发明人:  中野 一志;  奥山 浩之;  戸田 淳
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
发明人:  池田 昌夫;  中野 一志;  戸田 淳
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998233554A, 申请日期: 1998-09-02, 公开日期: 1998-09-02
发明人:  中野 一志;  戸田 淳
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半導体発光素子およびその製造方法ならびに光記録および/または光再生装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998190154A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
发明人:  石橋 晃;  谷口 理;  日野 智公;  小林 高志;  中野 一志;  中山 典一;  戸田 淳;  塚本 弘範;  牧野 桜子
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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998022587A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23
发明人:  河角 孝行;  白石 誠司;  奥山 浩之;  中野 一志
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997331082A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22
发明人:  中野 一志;  木下 優子;  野口 裕泰;  奥山 浩之
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