Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 中野 一志; 奥山 浩之; 戸田 淳 | |
| 1999-05-28 | |
| 专利权人 | ソニー株式会社 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 p型不純物の拡散を防止することにより特性を安定させかつ寿命を延長させることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 基板1の上にIII-V族バッファ層2を介してn型導電層(II-VI族バッファ層3,第1導電型クラッド層4),第1のガイド層5,活性層6,第2のガイド層7,p型導電層(第2導電型クラッド層8,第1の半導体層9,第2の半導体層10,超格子層11,コンタクト層12)を順次積層する。n型導電層にはn型不純物としてClを添加する。p型導電層にはp型不純物としてK,RbおよびCsからなる群のうちの少なくとも1種のI族元素を添加する。p型不純物はII族元素の格子位置を占有しているので、通電しても拡散が生じにくく、pn接合位置が変化しない。 |
| 其他摘要 | 提供一种能够通过防止p型杂质的扩散来稳定特性并延长寿命的半导体发光器件。 n型导电层（II-VI族缓冲层3，第一导电型包层4），第一导电层5，有源层如图6所示，依次层叠第二引导层7，p型导电层（第二导电类型包层8，第一半导体层9，第二半导体层10，超晶格层11，接触层12）。将Cl作为n型杂质添加到n型导电层中。在p型导电层中，添加K，Rb和Cs中的至少一种I族元素作为p型杂质。由于p型杂质占据II族元素的晶格位置，所以即使在通电时也难以发生扩散，并且pn结位置不会改变。 |
| 申请日期 | 1997-11-12 |
| 专利号 | JP1999145565A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997310704 |
| 公开（公告）号 | JP1999145565A |
| IPC 分类号 | G11C11/406 | H01L33/40 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76540 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,奥山 浩之,戸田 淳. 半導体発光素子. JP1999145565A[P]. 1999-05-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999145565A.PDF（55KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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