Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 中野 一志; 戸田 淳 | |
| 1998-09-02 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1998-09-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 特性の安定化を図ることができ、しかも長寿命のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ZnCdSe層を活性層、ZnSSe層を光導波層、ZnMgSSe層をクラッド層とするSCH構造の半導体レーザにおいて、活性層としてp型ZnCdSe活性層6を用いる。p型ZnCdSe活性層6の有効アクセプタ濃度NA -ND は1×1015cm-3以上1×1018cm-3以下、例えば6×1016cm-3とする。n型ZnSSe光導波層5とp型ZnCdSe活性層6との間にp型ZnSSe光導波層を設けてもよい。このp型ZnSSe光導波層の有効アクセプタ濃度NA -ND は1×1015cm-3以上1×1018cm-3以下、例えば6×1016cm-3とし、厚さは例えば30nmとする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供半导体发光元件，其中可以稳定特性并使用长寿命II-VI化合物半导体。解决方案：在SCH结构的半导体激光器中，ZnCdSe层是有源层，ZnSSe层是光波导层，ZnMgSSe层是包层，p型ZnCdSe有源层6用作有源层。 p型ZnCdSe活性层6的有效受主浓度NA-ND为1×1015cm-3以上且1×1018cm-3以下，例如1×1015cm-3以下。 6×10 16 cm -3。可以在n型ZnSSe光波导层5和p型ZnCdSe有源层6之间提供p型ZnSSe光波导层.p型ZnSSe光波导层的有效受主浓度NA-ND是1倍10倍例如，15cm -3或更大且1×10 18 cm -3或更小例如，6×10 16 cm -3，其厚度为30nm。 |
| 申请日期 | 1997-02-19 |
| 专利号 | JP1998233554A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997034719 |
| 公开（公告）号 | JP1998233554A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77523 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,戸田 淳. 半導体発光素子. JP1998233554A[P]. 1998-09-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998233554A.PDF（42KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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